Повідомленно, що компанії SK Hynix, першій вдалося створити модуль пам'яті об'ємом 128 ГБ, в якому використовуються компоненти DDR4 щільністю 8 Гбіт, виготовлені за технологією 20-нанометрового класу.
Подвоїти обсяг у порівнянні з випущеними раніше модулями об'ємом 64 ГБ вдалося за рахунок застосування в мікросхемах пам'яті технології міжшарових сполук (Through Silicon Via, TSV).
Модуль працює зі швидкістю 2133 Мбіт/с (у розрахунку на один розряд шини даних). Враховуючи, що шина даних є 64-розрядною, нескладно підрахувати, що пропускна здатність модуля досягає 17 ГБ/с. Модуль розрахований на напругу живлення 1,2 В.
До серійного випуску модулів виробник має намір приступити в першій половині майбутнього року.
0 коментарі:
Дописати коментар